段镶锋黄昱夫妇最新Nature小大做:范德瓦我斯金属
时间:2024-12-22 10:53:29 出处:重要背后阅读(143)
【引止】
金属电极战半导体质料干戈组成的段镶结是电子战光电子器件的闭头组成部份。金属半导体结的锋黄妇最范德特色正在于能垒为肖特基势垒,正在幻念情景下,金属可能约莫经由历程肖特基-莫特纪律,段镶基于能级的锋黄妇最范德相对于瞄准去展看其下度。可是金属,那类幻念的段镶物理征兆很少正在魔难魔难中真现,由于正在典型的锋黄妇最范德金属-半导体界里处不成停止天产去世化教无序性战牢靠费米能级。
【功能简介】
北京时候2018年5月17日,金属Nature正在线宣告了减州小大教洛杉矶分校的段镶段镶锋教授、黄昱教授(配激进讯做者)团队题为“Approaching the Schottky–Mott limit in van der Waals metal–semiconductor junctions”的锋黄妇最范德文章,钻研报道了范德瓦我斯金属半导体结的金属竖坐,金属薄膜被层压到两维半导体上而出有直接的段镶化教键开,组成根基上不受化教无序战牢靠费米能级约束的锋黄妇最范德界里。肖特基势垒下度接远肖特基-莫特极限,金属由金属的功函数抉择,因此下度可调。经由历程转移具备与MoS2价带边缘立室的功函数的金属膜(Ag或者Pt),患上到了正在室温下具备中间电子迁移率260cm2/V·S战空穴行动性175cm2/V·S的晶体管。此外,经由历程操做具备无开功函数的不开倾向称干戈对于,钻研提醉了开路电压为1.02V的Ag-MoS2-Pt光电南北极管。不但正在魔难魔难上验证了幻念金属半导体毗邻面的根基极限,而且借界讲了可用于下功能电子战光电子的金属散成的下效有利的策略。
【图文导读】
图1.范德瓦我斯金属半导体结的图解战挨算表征
图2. 具备群散战转移金属电极的MoS2晶体管的转移特色
图3. 经由历程魔难魔难确定不开金属的肖特基势垒下度
图4. Ag-MoS2-Pt MSM光电南北极管具备无开倾向称的Ag-Pt电极
文献链接:Approaching the Schottky–Mott limit in van der Waals metal–semiconductor junctions(Nature,2018,DOI: 10.1038/s41586-018-0129-8)
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